特种气体可用于电子行业，特种气体运用于电子行业的集成电路制造是比较常见的。成都特种气体用于集成电路制造的应用是什么大家知道吗？下面东方工业气体为大家介绍一下。

　　1、集成电路芯片制程

　　微芯片制造涉及硅片制备、硅片制造、硅片测试/拣选、装配与封装、Z终测试等五个大的制造阶段。这五个阶段是独立的, 在半导体公司内均具有大型基础设施, 并且有提供专用化学材料和设备的工业支撑网。仅在独立阶段运营的公司(像仅制造芯片的芯片公司) , 必须满足业界标准以确保Z终微芯片满足性能目标。

　　2、化学气相沉积和气体应用

　　化学气相沉积(CVD) 是通过气体混合的化学反应, 在硅片表面沉积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供所需的能量。化学气相沉积膜中所有的物质都源于外部源。原子或分子会沉积在硅片表面形成薄膜。

　　化学气相沉积通常包括气体传输至沉积区域、膜先驱物的形成、膜先驱物附着在硅片表面、膜先驱物粘附、膜先驱物扩散、表面反应、副产物从表面移除、副产物从反应腔移除等八个主要步骤。化学气相沉积常用的气体包括: SiH4、DCS、TCS、SiCl4、TEOS、NH3、N2O、WF6、H2、O2 等。发生的化学反应通常有:

　　SiH4 + O2 → SiO2 + H2

　　SiH4 → Si + H2

　　SiH4 + NH3 → Si3N4 + H2

　　SiH4 + N2O → SiO2 + N2 + H2

　　TEOS + O3 →SiO2 + H2O + CO2

　　DCS + NH3 → Si3N4 + HCl + H2

　　3、刻蚀和气体应用

　　刻蚀是采用化学和物理方法, 有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀是利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀。干法刻蚀利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基与材料发生化学反应, 或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。

　　其主要介质是气体。干法刻蚀的优点是各向异性(即垂直方向刻蚀速率远大于横向速率) 明显、特征尺寸控制良好、化学品使用和处理费用低、蚀刻速率高、均匀性好、良率高等。常用的干法刻蚀是等离子体刻蚀。

　　硅片的刻蚀气体主要是氟基气体, 包括CF4、CF4 /O2、SF6、C2 F6 /O2、NF3 等。但由于其各向同性, 选择性较差, 因此改进后的刻蚀气体通常包括氯基(Cl2 ) 和溴基(Br2、HBr) 气体。反应后的生成物包括SiF4、SiCl4 和SiBr4。铝和金属复合层的刻蚀通常采用氯基气体, 如CCl4、Cl2、BCl3 等。

　　产物主要包括AlCl3 等。

　　4、掺杂和气体应用

　　掺杂是将需要的杂质掺入特定的半导体区域中, 以改变半导体电学性质, 形成pn 结、电阻、欧姆接触等。p型半导体是在硅(锗) 单晶中掺入少量三价元素硼(或铝、铟、镓等) , 则三价元素原子在晶格中缺少一个价电子, 从而造成一个空位。空位很容易俘获邻近四价原子的价电子, 即在邻近产生一个空穴, 空穴可以参与导电。空位俘获电子后, 使杂质原子成为负离子。负离子束缚于晶格中, 不参与导电。掺杂后p型半导体中的空穴浓度等于掺杂浓度。在p型半导体中空穴是多数载流子, 自由电子是少数载流子。n 型半导体是在硅(锗) 单晶中掺入少量五价元素磷(或砷、锑等) ,则五价元素原子在晶格中多余一个价电子。多余价电子容易成为自由电子, 可以参与导电。提供自由电子后的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子。

　　正离子束缚于晶格中, 不参与导电。掺杂后n型半导体中的自由电子浓度等于掺杂浓度。在n型半导体中自由电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。

　　掺杂工艺有扩散和离子注入等。扩散是在合适的温度和浓度梯度下, 用III、V 族元素占据硅原子位置。离子注入是将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中。常用的三价掺杂气体有B2H6、BBr3、BF3 等, 常用的五价掺杂气体有PH3、POCl3、AsH3、SbCl5 等。